GDP2BFLM
(深圳市鑫富立科技有限公司专营GD/兆易创新存储系列产品TEL&VX19925428559)
产品特性:
◆ 电源电压:VDD = VDDQ = 1.35V(1.283V–1.45V)
◆ 向下兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
支持 DDR3L 器件在 1.5V 应用中向下兼容 ◆ 封装:96 球 FBGA(×16) ◆ 阵列配置:8 个存储体 ◆ 8n 位预取架构 ◆ 差分时钟输入(CK、CK#) ◆ 数据、数据选通及屏蔽信号的标称与动态片内终端匹配(ODT) ◆ 可编程列地址选通(读)潜伏期(CL) ◆ 可编程后置列地址选通附加潜伏期(AL) ◆ 可编程列地址选通(写)潜伏期(CWL) ◆ 固定突发长度(BL)为 8,突发截断(BC)为 4(通过模式寄存器设置 MRS 实现) ◆ 支持实时动态选择 BC4 或 BL8(OTF) ◆ 自刷新模式 ◆ 工作壳温:-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C ◆ 平均刷新周期: 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C 时为 7.8μs 85°C<TCASE ≤ 95°C 时为 3.9μs ◆ 符合 JEDEC JESD79-3F 标准 ◆ 符合 RoHS 标准展开剩余90%命名规则
GD/兆易创新常用存储芯片型号推荐:GD25B127DSIGR , GD25Q40CTIGR
GD25B128ESIGR , GD25Q40ETIGR
GD25B128EWIGY , GD25Q40ETlGR
GD25B16EEIGR , GD25Q64CFIG
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GD25D05CEIGR , GD25Q64ESIGR
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GD25LX256EFIRR , GD9FS8G8E3ALGI
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深圳市鑫富立科技有限公司专注原装,代理分销国内外驰名品牌。GD/兆易创新优势现货分销商,供应GD/兆易创新存储、单片机全系列产品,常备大量现货,支持订货。欢迎咨询合作!
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